Bipolar (BJT)

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Los transistores de unión bipolar discretos (BJT) se utilizan comúnmente para construir funciones de amplificación de señales analógicas en audio, radio y otras aplicaciones. Uno de los primeros dispositivos semiconductores producidos en masa, sus características son menos favorables que las de otros tipos de dispositivos para aplicaciones que involucran conmutación de alta frecuencia y operación con altas corrientes o voltajes, pero siguen siendo una tecnología de elección para aplicaciones que requieren reproducción de señales analógicas con Mínimo ruido y distorsión añadidos.

Parte #	Fabricante	Descripción	Disponibilidad	Precios
MAX2601ESA+ Bipolar (BJT)	Analog Devices / Maxim Integrated	RF Bipolar Transistors 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz	En stock	-
MAX2602ESA+ Bipolar (BJT)	Analog Devices / Maxim Integrated	RF Bipolar Transistors 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz	210	-
MAX2601ESA+T Bipolar (BJT)	Analog Devices / Maxim Integrated	RF Bipolar Transistors 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz	En stock	-
MAX2602ESA+T Bipolar (BJT)	Analog Devices / Maxim Integrated	RF Bipolar Transistors 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz	En stock	-