Los transistores de unión bipolar discretos (BJT) se utilizan comúnmente para construir funciones de amplificación de señales analógicas en audio, radio y otras aplicaciones. Uno de los primeros dispositivos semiconductores producidos en masa, sus características son menos favorables que las de otros tipos de dispositivos para aplicaciones que involucran conmutación de alta frecuencia y operación con altas corrientes o voltajes, pero siguen siendo una tecnología de elección para aplicaciones que requieren reproducción de señales analógicas con Mínimo ruido y distorsión añadidos.
| Parte # | Fabricante | Descripción | Disponibilidad | Precios | Cantidad |
|---|---|---|---|---|---|
BC847BSingle Bipolar Transistors | Anbon Semiconductor | PLASTIC ENCAPSULATE TRANSISTORS | 96385 | - | |
MMBT4401Single Bipolar Transistors | Anbon Semiconductor | GENERAL PURPOSE TRANSISTORS NPN | 133941 | - | |
MMBT5401Single Bipolar Transistors | Anbon Semiconductor | HIGH VOLTAGE PNP TRANSISTOR | 52001 | - | |
MMBT2222ASingle Bipolar Transistors | Anbon Semiconductor | GENERAL PURPOSE TRANSISTOR NPN S | En stock | - | |
MMBT3904Single Bipolar Transistors | Anbon Semiconductor | 200MA SILICON NPN EPITAXIAL PLAN | En stock | - | |
MMBT2907ASingle Bipolar Transistors | Anbon Semiconductor | GENERAL PURPOSE PNP TRANSISTOR | 32802 | - | |
MMBT4403Single Bipolar Transistors | Anbon Semiconductor | 600MA SILICON PNP EPITAXIAL PLAN | 110414 | - | |
MMBT5551Single Bipolar Transistors | Anbon Semiconductor | HIGH VOLTAGE TRANSISTORS NPN SIL | 56955 | - | |
BCP56-16Single Bipolar Transistors | Anbon Semiconductor | GENERAL PURPOSE TRANSISTOR NPN S | 13006 | - |