JFET

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Los transistores de efecto de campo de puerta de unión (JFET) son dispositivos que se utilizan como interruptores, amplificadores o resistencias controladas por voltaje controlados electrónicamente. Una diferencia de potencial de la polaridad adecuada aplicada entre los terminales de compuerta y fuente aumenta la resistencia al flujo de corriente, lo que significa que fluiría menos corriente en el canal entre los terminales de fuente y drenaje. Los JFET no necesitan una corriente de polarización debido a una carga que fluye a través de un canal semiconductor entre los terminales de fuente y drenaje.

Parte #	Fabricante	Descripción	Disponibilidad	Precios
UJ3N120035K3S JFETs	Qorvo	JFET N-CH 1200V 63A TO247-3	1088	-
UJ3N065025K3S JFETs	Qorvo	JFET N-CH 650V 85A TO247-3	630	-
UJ3N065080K3S JFETs	Qorvo	JFET N-CH 650V 32A TO247-3	525	-
UJ3N120070K3S JFETs	Qorvo	JFET N-CH 1200V 33.5A TO247-3	1471	-
UF3N170400B7S JFETs	Qorvo	JFET N-CH 1.7KV 6.8A D2PAK-7	2911	-
UJ3N120065K3S JFETs	Qorvo	JFET N-CH 1.2KV 34A TO247-3	2205	-
QPD2018D JFETs	Qorvo	RF JFET Transistors 0.18 mm Pwr pHEMT	400	-
UG4SC075005L8S JFETs	Qorvo	JFETs 750V/5mO, G4, Dual Gate FET in TOLL	En stock	-
QPD1425S2 JFETs	Qorvo	RF JFET Transistors 1.2-1.4 GHz discrete	En stock	-
QPD2080D JFETs	Qorvo	RF JFET Transistors 0.80mm Pwr pHEMT	En stock	-
UG4SC075011K4S JFETs	Qorvo	JFETs 750V/11mO,COMBO-FET,G4,TO247-4	588	-
QPD1425LS2 JFETs	Qorvo	RF JFET Transistors 1.2-1.4 GHz discrete	En stock	-
QPD1425TR13 JFETs	Qorvo	RF JFET Transistors 1.2-1.4 GHz discrete	En stock	-
QPD2040D JFETs	Qorvo	RF JFET Transistors 0.40 mm Pwr pHEMT	200	-
QPD1425LTR13 JFETs	Qorvo	RF JFET Transistors 1.2-1.4 GHz discrete	En stock	-
QPD2160D JFETs	Qorvo	RF JFET Transistors 1.60mm Pwr pHEMT	100	-
QPD2060D JFETs	Qorvo	RF JFET Transistors 0.60 mm Pwr pHEMT	100	-
QPD2120D JFETs	Qorvo	RF JFET Transistors 1.20mm Pwr pHEMT	En stock	-
QPD2025D JFETs	Qorvo	RF JFET Transistors 0.25 mm Pwr pHEMT	100	-