Transistores de RF bipolares

Los transistores de RF bipolares son dispositivos semiconductores con tres terminales que se utilizan para conmutar o amplificar señales en equipos que involucran radiofrecuencias. Los transistores de unión bipolar están diseñados como NPN o PNP, con características de tipo de transistor, voltaje de ruptura colector-emisor, frecuencia de transición, factor de ruido, ganancia, potencia, ganancia de corriente CC y corriente del colector.