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Ampleon
BLC9G24XS-170AVY
285-BLC9G24XS-170AVY
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Trans RF MOSFET N-CH 65V 7-Pin DFM T/R
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Especificaciones técnicas
Configuración
Dual Common Source
PCB changed
7
HTS
8541.29.00.75
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
140
Typical Power Gain (dB)
15.5
Number of Elements per Chip
2
ECCN (US)
EAR99
Channel Mode
Enhancement
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