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Microchip Technology
1N5809US
280-1N5809US
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DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF
34 Weeks
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Calidad responsable
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Especificaciones técnicas
Peak Reverse Recovery Time (ns)
30
Tiempo de recuperación inversa (trr)
30 ns
Configuración
Single
PCB changed
2
HTS
8541.10.00.50
ECCN (US)
EAR99
PPAP
No
Estado del producto
Active
FAQ
¿Qué rango de temperatura de operación soporta 1N5809US?
El rango de temperatura de operación indicado para 1N5809US es -65.
¿Hay partes relacionadas o alternativas para 1N5809US?
¿En qué paquete o encapsulado está disponible 1N5809US?
¿1N5809US está actualmente en stock?
¿Qué es 1N5809US?
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