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Microchip Technology
APTM20DAM05G
278-APTM20DAM05G
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MOSFET N-CH 200V 317A SP6
42 Weeks
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Calidad responsable
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Especificaciones técnicas
Tipo FET
N-Channel
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
27400 pF @ 25 V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
448 nC @ 10 V
Estado del producto
Active
Paquete de dispositivo del proveedor
SP6
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
200 V
Disipación de energía (máx.)
1136W (Tc)
Paquete / Estuche
SP6
FAQ
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