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Microchip Technology
JAN1N6630
280-JAN1N6630
Hoja de datos en PDF
DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL
34 Weeks
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Entrega en 1-2 díasGran variedad
Fabricantes originalesGarantía de 365 días
Calidad responsable
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Especificaciones técnicas
Velocidad
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Capacitancia @ Vr, F
-
Tiempo de recuperación inversa (trr)
50 ns
ECCN
EAR99
Calificación
Military
Tipo de montaje
Through Hole
Estado del producto
Active
Corriente - Fuga inversa @ Vr
2 µA @ 900 V
FAQ
¿Qué rango de temperatura de operación soporta JAN1N6630?
El rango de temperatura de operación indicado para JAN1N6630 es -65°C ~ 150°C.
¿Hay partes relacionadas o alternativas para JAN1N6630?
¿Qué es JAN1N6630?
¿En qué paquete o encapsulado está disponible JAN1N6630?
¿Cuál es el tipo de montaje de JAN1N6630?
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