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Microchip Technology
MXLPLAD30KP58AE3
144-MXLPLAD30KP58AE3
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TVS DIODE 58VWM 93.6VC PLAD
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Calidad responsable
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Especificaciones técnicas
Corriente - Pulso pico (10/1000 µs)
318A
Tensión - Avería (Min)
64.4V
Estado del producto
Active
Potencia - Pulso pico
30000W (30kW)
Paquete de dispositivo del proveedor
PLAD
Paquete / Estuche
Nonstandard SMD
Voltaje - Sujeción (máx.) a Ipp
93.6V
Voltaje - Separación inversa (típica)
58V
FAQ
¿Qué rango de temperatura de operación soporta MXLPLAD30KP58AE3?
El rango de temperatura de operación indicado para MXLPLAD30KP58AE3 es -55°C ~ 150°C (TJ).
¿Qué especificación de voltaje aparece para MXLPLAD30KP58AE3?
¿Hay partes relacionadas o alternativas para MXLPLAD30KP58AE3?
¿MXLPLAD30KP58AE3 está actualmente en stock?
¿En qué paquete o encapsulado está disponible MXLPLAD30KP58AE3?
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