Microsemi_JAN1N5622US
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Microsemi
JAN1N5622US

2085-JAN1N5622US
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DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A
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Calidad responsable
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

Especificaciones técnicas

Average Rectified Current
1A
Package/Case
MELF
Max Operating Temperature
200°C
Min Operating Temperature
-65°C
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm)
100V
Max Reverse Current
500nA
Max Reverse Voltage (DC)
1kV
Mount
Surface Mount
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FAQ

¿En qué paquete o encapsulado está disponible JAN1N5622US?
JAN1N5622US está disponible actualmente en el paquete / encapsulado MELF.
¿Cuál es el tipo de montaje de JAN1N5622US?
¿Qué especificación de voltaje aparece para JAN1N5622US?
¿Hay partes relacionadas o alternativas para JAN1N5622US?
¿Cuál es el plazo de entrega estándar de JAN1N5622US?
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