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UTV8100B
283-UTV8100B
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RF Power Bipolar Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, 55RT, 4 PIN
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Especificaciones técnicas
Collector Base Voltage (VCBO)
65V
Collector Emitter Breakdown Voltage
60V
Ganar
9.5dB
Max Collector Current
15A
Max Frequency
860MHz
Max Operating Temperature
200°C
Min Operating Temperature
-40°C
Max Power Dissipation
290W
FAQ
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¿Qué es UTV8100B?
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