onsemi_2SA2013-TD-E
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2SA2013-TD-E

276-2SA2013-TD-E
PNP BJT Transistor, -50V, -4A, 360MHz, SOT-89
9 Weeks

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APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

Especificaciones técnicas

Package/Case
TO-243AA
Collector Base Voltage (VCBO)
-50V
Collector Emitter Breakdown Voltage
50V
Collector Emitter Saturation Voltage
-200mV
Collector-emitter Voltage-Max
340mV
Contact Plating
Tin, Matte
Emitter Base Voltage (VEBO)
-6V
Ganar producto de ancho de banda
360MHz
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FAQ

¿Qué especificación de voltaje aparece para 2SA2013-TD-E?
La especificación relacionada con voltaje actualmente indicada para 2SA2013-TD-E es -50V.
¿Hay partes relacionadas o alternativas para 2SA2013-TD-E?
¿Qué rango de temperatura de operación soporta 2SA2013-TD-E?
¿En qué paquete o encapsulado está disponible 2SA2013-TD-E?
¿2SA2013-TD-E está actualmente en stock?
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Cantidad Precio unitario ext. Precio
10+ $0.55715 $5.57
30+ $0.49543 $14.86
100+ $0.41828 $41.83
500+ $0.33772 $168.86
1000+ $0.31715 $317.15
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