onsemi_4N35TVM
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4N35TVM

903-4N35TVM
Hoja de datos en PDF
Phototransistor Optocoupler, 5.25kV Isolation, DIP, 60mA
10 Weeks

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APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

Especificaciones técnicas

Package/Case
DIP
Collector Emitter Saturation Voltage
300mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)
300mV
Collector-emitter Voltage-Max
300mV
Contact Plating
Tin, Matte
Fall Time
2us
Forward Current
60mA
Altura
5.08mm
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FAQ

¿Qué especificación de voltaje aparece para 4N35TVM?
La especificación relacionada con voltaje actualmente indicada para 4N35TVM es 300mV.
¿Cuál es el plazo de entrega estándar de 4N35TVM?
¿En qué paquete o encapsulado está disponible 4N35TVM?
¿Hay partes relacionadas o alternativas para 4N35TVM?
¿Qué rango de temperatura de operación soporta 4N35TVM?
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