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onsemi
FDMS6673BZ
278-FDMS6673BZ
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P-Channel MOSFET -30V, 6.8mR, 15.2A, Surface Mount
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Calidad responsable
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Especificaciones técnicas
Continuous Drain Current (ID)
15.2A
Drain to Source Breakdown Voltage
-30V
Drain to Source Resistance
6.8mR
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Element Configuration
Single
Fall Time
79ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
25V
Altura
1.05mm
FAQ
¿FDMS6673BZ está actualmente en stock?
Sí. Actualmente FDMS6673BZ muestra 1259 unidad(es) en stock.
¿En qué paquete o encapsulado está disponible FDMS6673BZ?
¿Hay partes relacionadas o alternativas para FDMS6673BZ?
¿Qué es FDMS6673BZ?
¿Qué rango de temperatura de operación soporta FDMS6673BZ?
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