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HGT1S7N60A4DS
279-HGT1S7N60A4DS
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Insulated Gate Bipolar Transistor
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Calidad responsable
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Especificaciones técnicas
Package/Case
TO-263AB
Collector Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector Emitter Saturation Voltage
1.9V
Collector Emitter Voltage (VCEO)
600V
Collector-emitter Voltage-Max
2.7V
Tipo de entrada
STANDARD
Max Collector Current
34A
Max Operating Temperature
150°C
FAQ
¿Cuál es el tipo de montaje de HGT1S7N60A4DS?
Según las especificaciones actuales del producto, HGT1S7N60A4DS utiliza un tipo de montaje Surface Mount.
¿Qué es HGT1S7N60A4DS?
¿En qué paquete o encapsulado está disponible HGT1S7N60A4DS?
¿HGT1S7N60A4DS está actualmente en stock?
¿Hay partes relacionadas o alternativas para HGT1S7N60A4DS?
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