onsemi_NTD4856N-1G
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NTD4856N-1G

278-NTD4856N-1G
Hoja de datos en PDF
Power MOSFET 25V 89A 4.7 mOhm Single N-Channel DPAK, DPAK INSERTION MOUNT, 75-TUBE

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Calidad responsable
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

Especificaciones técnicas

Package/Case
DPAK
Continuous Drain Current (ID)
89A
Drain to Source Breakdown Voltage
25V
Drain to Source Resistance
5.3mR
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
25V
Element Configuration
Single
Fall Time
7.5ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
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FAQ

¿Qué especificación de voltaje aparece para NTD4856N-1G?
La especificación relacionada con voltaje actualmente indicada para NTD4856N-1G es 25V.
¿NTD4856N-1G está actualmente en stock?
¿Qué es NTD4856N-1G?
¿Qué rango de temperatura de operación soporta NTD4856N-1G?
¿Hay partes relacionadas o alternativas para NTD4856N-1G?
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