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NTMD4884NFR2G
278-NTMD4884NFR2G
Hoja de datos en PDF
Power MOSFET and Schottky Diode, 30 V, 5.7 A, Single N-Channel, SOIC-8 Narrow Body, 2500-REEL
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Calidad responsable
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Especificaciones técnicas
Package/Case
SOIC
Continuous Drain Current (ID)
3.3A
Drain to Source Breakdown Voltage
30V
Drain to Source Resistance
48mR
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Fall Time
1.4ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
Capacitancia de entrada
360pF
FAQ
¿Qué rango de temperatura de operación soporta NTMD4884NFR2G?
El rango de temperatura de operación indicado para NTMD4884NFR2G es 150°C.
¿NTMD4884NFR2G está actualmente en stock?
¿En qué paquete o encapsulado está disponible NTMD4884NFR2G?
¿Qué especificación de voltaje aparece para NTMD4884NFR2G?
¿Hay partes relacionadas o alternativas para NTMD4884NFR2G?
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