SAMSUNG_K4T56163QN-HCE7
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SAMSUNG
K4T56163QN-HCE7

774-K4T56163QN-HCE7
DDR2 SDRAM 256Mbit 16Mx16 800MHz 1.8V 84-Pin FBGA

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Calidad responsable
APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

Especificaciones técnicas

Basic Package Type
Ball Grid Array
Package Family Name
BGA
Package/Case
FBGA
Package Description
Fine Pitch Ball Grid Array
Lead Shape
Ball
Pin Count
84
PCB
84
Package Length (mm)
12.5
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FAQ

¿Qué especificación de voltaje aparece para K4T56163QN-HCE7?
La especificación relacionada con voltaje actualmente indicada para K4T56163QN-HCE7 es 1.8.
¿K4T56163QN-HCE7 está actualmente en stock?
¿Qué es K4T56163QN-HCE7?
¿Qué rango de temperatura de operación soporta K4T56163QN-HCE7?
¿Cuál es el tipo de montaje de K4T56163QN-HCE7?
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