STMicroelectronics_PD55008-E
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STMicroelectronics
PD55008-E

285-PD55008-E
RF MOSFET N-CH 40V 4A 1GHz 8W SOIC
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APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

Especificaciones técnicas

Package/Case
SOIC
Continuous Drain Current (ID)
4A
Drain to Source Breakdown Voltage
40V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
40V
DS Breakdown Voltage-Min
40V
Frecuencia
500MHz
Ganar
17dB
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
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FAQ

¿Qué rango de temperatura de operación soporta PD55008-E?
El rango de temperatura de operación indicado para PD55008-E es 165°C.
¿Cuál es el tipo de montaje de PD55008-E?
¿PD55008-E está actualmente en stock?
¿En qué paquete o encapsulado está disponible PD55008-E?
¿Hay partes relacionadas o alternativas para PD55008-E?
Disponibilidad (En stock : 17 )
Cantidad Precio unitario ext. Precio
1+ $21.50057 $21.50
10+ $20.39315 $203.93
50+ $18.47485 $923.74
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Precio unitario $21.50057
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