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STMicroelectronics
STB30NM50N
278-STB30NM50N
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MOSFET N-CH 500V 27A D2PAK
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Calidad responsable
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Especificaciones técnicas
Package/Case
D2PAK
Continuous Drain Current (ID)
27A
Drain to Source Breakdown Voltage
500V
Drain to Source Resistance
115mR
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
500V
Fall Time
60ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
25V
Capacitancia de entrada
2.74nF
FAQ
¿Hay partes relacionadas o alternativas para STB30NM50N?
Sí. En esta página pueden mostrarse partes relacionadas o alternativas cuando hay datos de producto correspondientes disponibles.
¿En qué paquete o encapsulado está disponible STB30NM50N?
¿Qué rango de temperatura de operación soporta STB30NM50N?
¿Cuál es el plazo de entrega estándar de STB30NM50N?
¿Qué es STB30NM50N?
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