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STMicroelectronics
STB6NM60N
278-STB6NM60N
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MOSFET N-CH 600V 4.6A D2PAK
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Calidad responsable
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Especificaciones técnicas
Package/Case
D2PAK
Continuous Drain Current (ID)
4.6A
Drain to Source Breakdown Voltage
600V
Drain to Source Resistance
920mR
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
600V
Drain-source On Resistance-Max
920mR
Fall Time
9ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
25V
FAQ
¿Hay partes relacionadas o alternativas para STB6NM60N?
Sí. En esta página pueden mostrarse partes relacionadas o alternativas cuando hay datos de producto correspondientes disponibles.
¿Qué es STB6NM60N?
¿Qué especificación de voltaje aparece para STB6NM60N?
¿Qué rango de temperatura de operación soporta STB6NM60N?
¿En qué paquete o encapsulado está disponible STB6NM60N?
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