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STMicroelectronics
STD2HNK60Z-1
278-STD2HNK60Z-1
Hoja de datos en PDF
600V N-Channel Power MOSFET, 2A, 4.8 Ohm, IPAK
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Especificaciones técnicas
Package/Case
TO-251-3
Continuous Drain Current (ID)
2A
Drain to Source Breakdown Voltage
600V
Drain to Source Resistance
4.8R
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
600V
Drain-source On Resistance-Max
4.8R
Fall Time
50ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
30V
FAQ
¿STD2HNK60Z-1 está actualmente en stock?
Sí. Actualmente STD2HNK60Z-1 muestra 199 unidad(es) en stock.
¿En qué paquete o encapsulado está disponible STD2HNK60Z-1?
¿Qué es STD2HNK60Z-1?
¿Hay partes relacionadas o alternativas para STD2HNK60Z-1?
¿Qué especificación de voltaje aparece para STD2HNK60Z-1?
Disponibilidad
(En stock :
199 )
| Cantidad | Precio unitario | ext. Precio |
|---|---|---|
| 1+ | $1.37143 | $1.37 |
| 10+ | $1.12628 | $11.26 |
| 30+ | $0.99257 | $29.78 |
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Precio unitario $1.37143
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