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STMicroelectronics
STD4NK60Z-1
278-STD4NK60Z-1
600V 4A N-CH MOSFET, 2 Ohm, IPAK, Through Hole
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Calidad responsable
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Especificaciones técnicas
Package/Case
TO-251-3
Continuous Drain Current (ID)
4A
Drain to Source Breakdown Voltage
600V
Drain to Source Resistance
2R
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
600V
Drain-source On Resistance-Max
2R
Fall Time
16.5ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
30V
FAQ
¿STD4NK60Z-1 está actualmente en stock?
Sí. Actualmente STD4NK60Z-1 muestra 39 unidad(es) en stock.
¿Qué rango de temperatura de operación soporta STD4NK60Z-1?
¿STD4NK60Z-1 tiene precios por cantidad?
¿Qué especificación de voltaje aparece para STD4NK60Z-1?
¿Hay partes relacionadas o alternativas para STD4NK60Z-1?
Disponibilidad
(En stock :
39 )
| Cantidad | Precio unitario | ext. Precio |
|---|---|---|
| 1+ | $0.81085 | $0.81 |
| 10+ | $0.79028 | $7.90 |
| 30+ | $0.77657 | $23.30 |
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