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STMicroelectronics
STI11NM60ND
278-STI11NM60ND
Hoja de datos en PDF
10A, 600V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, ROHS COMPLIANT, TO-262, I2PAK-3
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Calidad responsable
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Especificaciones técnicas
Package/Case
TO-262-3
Continuous Drain Current (ID)
10A
Drain to Source Breakdown Voltage
600V
Drain to Source Resistance
450mR
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
600V
Fall Time
9ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
25V
Capacitancia de entrada
850pF
FAQ
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