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STMicroelectronics
STP30NM30N
278-STP30NM30N
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300V N-Channel MOSFET, 30A, 90mR Rds On, TO-220
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Especificaciones técnicas
Package/Case
TO-220
Continuous Drain Current (ID)
30A
Drain to Source Breakdown Voltage
300V
Drain to Source Resistance
90mR
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
300V
Drain-source On Resistance-Max
90mR
Fall Time
25ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
20V
FAQ
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