TT Electronics_D1211UKTR
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TT Electronics
D1211UKTR

285-D1211UKTR
Hoja de datos en PDF
Trans RF MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin SO

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APAC
ISO9001
Quality Policy
ISO45001
ISO14001
Original

Especificaciones técnicas

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
60(Max)@0V
Configuración
Single Dual Drain Dual Gate Quad Source
PCB changed
8
HTS
8541.29.00.95
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)
1000
Typical Power Gain (dB)
10(Min)
Number of Elements per Chip
1
ECCN (US)
EAR99
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FAQ

¿Hay partes relacionadas o alternativas para D1211UKTR?
Sí. En esta página pueden mostrarse partes relacionadas o alternativas cuando hay datos de producto correspondientes disponibles.
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