Inglés
Alemán
japonés
portugués
Corea
Holandés
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
GI756-E3/73
280-GI756-E3/73
Hoja de datos en PDF
DIODE GEN PURP 600V 6A P600
7 Weeks
¿Por qué elegirnos?
Plataforma profesional
Compras B2B y B2CEntrega a toda velocidad
Entrega en 1-2 díasGran variedad
Fabricantes originalesGarantía de 365 días
Calidad responsable
.png)
Especificaciones técnicas
Velocidad
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Capacitancia @ Vr, F
150pF @ 4V, 1MHz
Tiempo de recuperación inversa (trr)
2.5 µs
ECCN
EAR99
Tipo de montaje
Through Hole
Estado del producto
Active
Paquete de dispositivo del proveedor
P600
Corriente - Fuga inversa @ Vr
5 µA @ 600 V
FAQ
¿Qué rango de temperatura de operación soporta GI756-E3/73?
El rango de temperatura de operación indicado para GI756-E3/73 es -50°C ~ 150°C.
¿Qué es GI756-E3/73?
¿Hay partes relacionadas o alternativas para GI756-E3/73?
¿Cuál es el tipo de montaje de GI756-E3/73?
¿Qué especificación de voltaje aparece para GI756-E3/73?
Cotización rápida
AÑADIR A LA LISTA DE RFQ
¿No está disponible para comprar en línea? ¿Quieres el precio mayorista más bajo? Envíe una solicitud de cotización para obtener el mejor precio, le responderemos de inmediato
Solicitud de presupuesto rápida
.png?x-oss-process=image/format,webp/resize,h_32)
