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Vishay / Siliconix
SI2327DS-T1-E3
278-SI2327DS-T1-E3
MOSFET P-CH 200V 380MA SOT23-3
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Calidad responsable
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Especificaciones técnicas
Tipo FET
P-Channel
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
510 pF @ 25 V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Estado del producto
Obsolete
Paquete de dispositivo del proveedor
SOT-23-3 (TO-236)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
200 V
Disipación de energía (máx.)
750mW (Ta)
Paquete / Estuche
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FAQ
¿Hay partes relacionadas o alternativas para SI2327DS-T1-E3?
Sí. En esta página pueden mostrarse partes relacionadas o alternativas cuando hay datos de producto correspondientes disponibles.
¿En qué paquete o encapsulado está disponible SI2327DS-T1-E3?
¿Qué especificación de voltaje aparece para SI2327DS-T1-E3?
¿Qué rango de temperatura de operación soporta SI2327DS-T1-E3?
¿Qué es SI2327DS-T1-E3?
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