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Especificaciones técnicas
Tipo FET
N-Channel
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1640 pF @ 15 V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Estado del producto
Obsolete
Paquete de dispositivo del proveedor
8-SOIC
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30 V
Disipación de energía (máx.)
3.1W (Ta), 5.4W (Tc)
Paquete / Estuche
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
FAQ
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