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Vishay / Siliconix
SIA814DJ-T1-GE3
278-SIA814DJ-T1-GE3
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MOSFET N-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
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Calidad responsable
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Especificaciones técnicas
Tipo FET
N-Channel
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
340 pF @ 10 V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Estado del producto
Obsolete
Paquete de dispositivo del proveedor
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30 V
Disipación de energía (máx.)
1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Paquete / Estuche
PowerPAK® SC-70-6 Dual
FAQ
¿Qué especificación de voltaje aparece para SIA814DJ-T1-GE3?
La especificación relacionada con voltaje actualmente indicada para SIA814DJ-T1-GE3 es 30 V.
¿Hay partes relacionadas o alternativas para SIA814DJ-T1-GE3?
¿Qué rango de temperatura de operación soporta SIA814DJ-T1-GE3?
¿Qué es SIA814DJ-T1-GE3?
¿Cuál es el tipo de montaje de SIA814DJ-T1-GE3?
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