Los transistores de efecto de campo (FET) son dispositivos electrónicos que utilizan un campo eléctrico para controlar el flujo de corriente. La aplicación de un voltaje al terminal de la puerta altera la conductividad entre los terminales de drenaje y fuente. Los FET también se conocen como transistores unipolares, ya que implican un funcionamiento de tipo portador único. Es decir, los FET utilizan electrones o huecos como portadores de carga en su funcionamiento, pero no ambos. Los transistores de efecto de campo generalmente muestran una impedancia de entrada muy alta a bajas frecuencias. Los transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico, o MOSFET, son un tipo de FET.
| Parte # | Fabricante | Descripción | Disponibilidad | Precios | Cantidad |
|---|---|---|---|---|---|
SPW17N80C3FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3 | 453 | - | |
IPP80N04S4-04FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS-T2 | 487 | - | |
BSZ050N03LS GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 | 8657 | - | |
BSC060N10NS3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3 | 28590 | - | |
SPA21N50C3FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 500V 21A TO220FP-3 CoolMOS C3 | En stock | - | |
IPI60R099CPFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 31A I2PAK-3 CoolMOS CP | 527 | - | |
IPD040N03LF2SATMA1FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency | 3996 | - | |
IPB054N08N3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 80V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3 | 898 | - | |
IPP65R125C7FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | En stock | - | |
BSC0921NDIFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8 | 5335 | - | |
BSS83PH6327XTFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -60V -330mA SOT-23-3 | 13160 | - | |
BSC019N04LSFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | 4603 | - | |
IPD50N08S4-13FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-CHANNEL 75/80V | 15013 | - | |
BSC090N03MS GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 48A TDSON-8 OptiMOS 3M | 680 | - | |
BSC024NE2LSFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS | 2052 | - | |
IPB70P04P4-09FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -40V -70A D2PAK-2 OptiMOS-P2 | 836 | - | |
BSC030N04NSGXTFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 | En stock | - | |
IPD050N03L GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3 | 2429 | - | |
IPI041N12N3 GFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 120V 120A I2PAK-3 OptiMOS 3 | 500 | - | |
IPG20N04S4-12FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2 | 22211 | - | |
IPD023N03LF2SATMA1FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency | 3980 | - | |
IPW60R125CPFETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP | 126 | - | |
BSP149 H6327FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 200V 660mA SOT-223-3 | 36475 | - | |
IMDQ65R020M2HXUMA1FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | SiC MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET | 50 | - | |
IPB180N04S3-02FETs, MOSFETs | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T | En stock | - |