Los transistores de unión bipolar discretos (BJT) se utilizan comúnmente para construir funciones de amplificación de señales analógicas en audio, radio y otras aplicaciones. Uno de los primeros dispositivos semiconductores producidos en masa, sus características son menos favorables que las de otros tipos de dispositivos para aplicaciones que involucran conmutación de alta frecuencia y operación con altas corrientes o voltajes, pero siguen siendo una tecnología de elección para aplicaciones que requieren reproducción de señales analógicas con Mínimo ruido y distorsión añadidos.
| Parte # | Fabricante | Descripción | Disponibilidad | Precios | Cantidad |
|---|---|---|---|---|---|
2N6439Bipolar (BJT) | MACOM Technology Solutions | RF Bipolar Transistors Transistor,225-400MHz,28V,60W | 20 | - | |
NPT2018-TR100Bipolar (BJT) | MACOM Technology Solutions | RF Bipolar Transistors Transistor,48V,12W DC-4G | 65 | - |