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STMicroelectronics
STB10N60M2
278-STB10N60M2
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600V 7.5A N-CH MOSFET D2PAK 600mR
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Calidad responsable
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Especificaciones técnicas
Package/Case
D2PAK
Continuous Drain Current (ID)
7.5A
Drain to Source Breakdown Voltage
650V
Drain to Source Resistance
600mR
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
600V
Fall Time
13.2ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
25V
Altura
4.6mm
FAQ
¿STB10N60M2 está actualmente en stock?
Sí. Actualmente STB10N60M2 muestra 6015 unidad(es) en stock.
¿Qué rango de temperatura de operación soporta STB10N60M2?
¿Hay partes relacionadas o alternativas para STB10N60M2?
¿Cuál es el plazo de entrega estándar de STB10N60M2?
¿Qué es STB10N60M2?
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