


STMicroelectronics
STB18N60M2
278-STB18N60M2
Hoja de datos en PDF
600V 13A N-CH MOSFET D2PAK, 255mR Rds(on)
26 Weeks
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Calidad responsableEspecificaciones técnicas
Package/Case
D2PAK
Continuous Drain Current (ID)
13A
Drain to Source Breakdown Voltage
600V
Drain to Source Resistance
255mR
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
600V
Drain-source On Resistance-Max
280mR
Fall Time
10.6ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
25V
FAQ
¿Qué es STB18N60M2?
STB18N60M2 es un Single FETs, MOSFETs de STMicroelectronics. Esta página de producto muestra sus especificaciones principales, información de precios, disponibilidad y opciones de consulta.
¿Hay partes relacionadas o alternativas para STB18N60M2?
¿Cuál es el tipo de montaje de STB18N60M2?
¿Qué especificación de voltaje aparece para STB18N60M2?
¿Qué rango de temperatura de operación soporta STB18N60M2?





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