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STMicroelectronics
STQ1HN60K3-AP
278-STQ1HN60K3-AP
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600V N-CH Power MOSFET, 6.7 Ohm, TO-92, Through Hole
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Calidad responsable
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Especificaciones técnicas
Package/Case
TO-92-3
Continuous Drain Current (ID)
400mA
Drain to Source Breakdown Voltage
600V
Drain to Source Resistance
6.7R
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
600V
Fall Time
31ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
30V
Altura
2.8mm
FAQ
¿Qué rango de temperatura de operación soporta STQ1HN60K3-AP?
El rango de temperatura de operación indicado para STQ1HN60K3-AP es 150°C.
¿En qué paquete o encapsulado está disponible STQ1HN60K3-AP?
¿Cuál es el tipo de montaje de STQ1HN60K3-AP?
¿Qué es STQ1HN60K3-AP?
¿Hay partes relacionadas o alternativas para STQ1HN60K3-AP?
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