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STMicroelectronics
STU1HN60K3
278-STU1HN60K3
Hoja de datos en PDF
600V N-CH MOSFET, 1.2A, 6.7 Ohm, IPAK, Through Hole
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Calidad responsable
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Especificaciones técnicas
Package/Case
TO-251-3
Continuous Drain Current (ID)
1.2A
Drain to Source Breakdown Voltage
600V
Drain to Source Resistance
6.7R
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
600V
Fall Time
31ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
30V
Altura
6.2mm
FAQ
¿Cuál es el tipo de montaje de STU1HN60K3?
Según las especificaciones actuales del producto, STU1HN60K3 utiliza un tipo de montaje Through Hole.
¿Qué es STU1HN60K3?
¿Qué rango de temperatura de operación soporta STU1HN60K3?
¿STU1HN60K3 está actualmente en stock?
¿En qué paquete o encapsulado está disponible STU1HN60K3?
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