


STMicroelectronics
STU4N62K3
278-STU4N62K3
Hoja de datos en PDF
620V N-CH MOSFET, 3.8A, 2R RdsOn, IPAK
13 weeks
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Calidad responsableEspecificaciones técnicas
Package/Case
TO-251
Continuous Drain Current (ID)
3.8A
Drain to Source Breakdown Voltage
620V
Drain to Source Resistance
2R
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
620V
Fall Time
19ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
30V
Altura
6.9mm
FAQ
¿Cuál es el tipo de montaje de STU4N62K3?
Según las especificaciones actuales del producto, STU4N62K3 utiliza un tipo de montaje Through Hole.
¿En qué paquete o encapsulado está disponible STU4N62K3?
¿Qué rango de temperatura de operación soporta STU4N62K3?
¿Qué es STU4N62K3?
¿Cuál es el plazo de entrega estándar de STU4N62K3?



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